Avances en Memory Tech

Investigadores logran el "Santo Grial" con el avance de la memoria de cambio de fase

Esta innovación fue publicada en la prestigiosa revista Nature bajo el título Phase-Change Memory via a Phase-Changeable Self-Confined Nano-Filament

En un logro innovador aclamado como el "Santo Grial" de la tecnología de memoria, investigadores del Instituto Avanzado de Ciencia y Tecnología de Corea (KAIST) en Corea del Sur han revelado una nueva iteración de la memoria de cambio de fase (PCM) que aborda limitaciones anteriores, combinando las mejores características de DRAM y NAND flash.

La memoria de cambio de fase opera mediante la transición entre dos estados físicos: cristalizado, caracterizado por baja resistencia, y amorfo, con alta resistencia. Esta innovadora tecnología combina la velocidad de DRAM con la no volatilidad de NAND flash, prometiendo un rendimiento óptimo y retención de datos.

Históricamente, PCM ha enfrentado desafíos como altos costos de fabricación y consumo de energía. Sin embargo, el Profesor Shinhyun Choi y su equipo han desarrollado un método revolucionario para reducir los componentes involucrados en el proceso de cambio de fase, lo que resulta en un nano filamento de cambio de fase. Este enfoque no solo reduce significativamente el consumo de energía en 15 veces en comparación con los métodos tradicionales de PCM, sino que también reduce los gastos de fabricación.

La memoria de cambio de fase recientemente desarrollada conserva características esenciales como alta velocidad, una gran relación de encendido/apagado, mínimas variaciones y propiedades de memoria multinivel. Choi visualiza que este avance servirá como la piedra angular para futuros esfuerzos de ingeniería electrónica, con aplicaciones potenciales que van desde la memoria vertical 3D de alta densidad hasta sistemas informáticos neuromórficos y sistemas informáticos en memoria.

Fuente: Techspot

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